-
1 inert-gas blanket
1) Электроника: обволакивающий слой инертного газа3) Нефтегазовая техника подушка инертного газа в нефтяных резервуарах4) Микроэлектроника: среда инертного газа
См. также в других словарях:
Переэтерификация — (рандомизация) химическая реакция обмена структурных элементов жиров (ацильных групп глицерина или жирных кислот). Используется в пищевой промышленности для снижения температуры плавления жиров, повышения их пластичности и стабильности к… … Википедия
Газовый анализ — или газометрия состоит в определении объемного состава газов. По простоте и изящности приемов и по важности значения в решении многих научных (напр., касающихся дыхания) и заводско фабричных (напр., полноты горения и пользования топливом)… … Энциклопедический словарь Ф.А. Брокгауза и И.А. Ефрона
Металл — (Metal) Определение металла, физические и химические свойства металлов Определение металла, физические и химические свойства металлов, применение металлов Содержание Содержание Определение Нахождение в природе Свойства Характерные свойства… … Энциклопедия инвестора
ХИМИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЯВЛЕНИЙ — изучает химические силы, действующие на поверхности. В общем случае химия поверхности рассматривает свойства трех состояний вещества твердого (Т), жидкого (Ж) и газообразного (Г) и дает описание вещества как фазовой системы. Однако если два… … Энциклопедия Кольера
ЭКСИМЕРНЫЕ ЛАЗЕРЫ — газовые лазеры, работающие на переходах между электронными уровнями эксимерных молекул (молекул, существующих только в электронно возбуждённом состоянии). Нижний уровень лазерного перехода является т. н. «отталкивательным» (невозбуждённые атомы… … Физическая энциклопедия
Сварка — Сварщик за работой Сварка это технологический процесс получения неразъёмного соединения посредством установления межатомных и межмолекулярных связей между свариваемыми частями изделия при их нагреве (местном или общем), и/или … Википедия
ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… … Физическая энциклопедия
ГОСТ Р 54141-2010: Менеджмент рисков. Руководство по применению организационных мер безопасности и оценки рисков. Эталонные сценарии инцидентов — Терминология ГОСТ Р 54141 2010: Менеджмент рисков. Руководство по применению организационных мер безопасности и оценки рисков. Эталонные сценарии инцидентов оригинал документа: 3.14 «полностью проявившийся» опасный феномен: Опасный феномен, для… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ГОСТ Р 54144-2010: Менеджмент рисков. Руководство по применению организационных мер безопасности и оценки рисков. Идентификация инцидентов — Терминология ГОСТ Р 54144 2010: Менеджмент рисков. Руководство по применению организационных мер безопасности и оценки рисков. Идентификация инцидентов оригинал документа: 3.14 «полностью проявившийся» опасный феномен: Опасный феномен, для… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Выращивание монокристаллов — [single crystals (monocrystals) growing] получение (изготовление) веществ в виде объемных монокристаллов или монокристаллических эпитаксиальных слоев и пленок кристаллизацией расплавов или из паровой (газовой) фазы. В основе методов выращивания… … Энциклопедический словарь по металлургии
Полупроводниковая электроника — отрасль электроники (См. Электроника), занимающаяся исследованием электронных процессов в полупроводниках и их использованием главным образом в целях преобразования и передачи информации. Именно с успехами П. э. связаны, в основном,… … Большая советская энциклопедия